NT1D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D
NT1comunicação
,Chip DRAM de 2Gbit
,NT1contabilidade
NT1D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D
| Modelo | NT1comunicação |
| Densidade de DRAM | 2Gb |
| Configuração | x16 |
| Voltagem | 1.35V |
| Pacote | BGA de 96 bolas |
| Velocidade | 1866 Mbps |
| Temperatura | -40C ~ 95C |
| Grau | Indústria |
Descrições
JEDEC DDR3 Compatível
Arquitetura de 8n Prefetch
¢ Relógio diferencial ((CK/CK) e Strobe de dados ((DQS/DQS)
¢ Taxa de duplicação de dados sobre DQ, DQS e DM
Integridade dos dados
Auto Self Refresh (ASR) pela DRAM incorporada no TS
Modo de auto-realização e auto-realização
Modo de poupança de energia
- Desligar o motor
Integridade do sinal
¢ DS configurável para compatibilidade do sistema
¢ Terminamento on-die configurável
¢ Calibração ZQ para a precisão da impedância DS/ODT via
Pad ZQ externo (240 ohms ± 1%)
Sincronização do sinal
¢ Gravar nivelação através das definições MR 5
¢ Leitura do nivelamento através do MPR
Interface e alimentação
¢ SSTL_15 para DDR3:VDD/VDDQ=1,5V ((±0,075V)
¢ SSTL_1353 para DDR3L:VDD/VDDQ=1,35V ((-0,067/+0,1V)
Opções
Classe de velocidade (CL-TRCD-TRP) 1
2133 Mbps / 14-14
- 1866 Mbps / 13-13
- 1600 Mbps / 11-11-11
Intervalo de temperatura (Tc) 3
️ Grau comercial = 0°C~95°C
️ Qualidade Quasi Industrial (-T) = -40°C~95°C
-40°C a 95°C
Funções programáveis
CAS Latência (6/7/8/9/10/11/13/14)
CAS Write Latency (5/6/7/8/9/10)
Latência aditiva (0/CL-1/CL-2)
Escrever Tempo de recuperação (5/6/7/8/10/12/14/16)
Tipo de explosão (sequencial/intercaladas)
Duração da explosão (BL8/BC4/BC4 ou 8 a bordo)
Auto-refrescamento (Range de temperatura) ((Normal/Extendido)
Impedância do condutor de saída (34/40)
Terminar o Rtt_Nom (em tempo real)
Rescisão do Rtt_WR ((60/120)
Precarregamento Desligado (lento/rápido)
Shenzhen Wisdtech Technology Co., Ltd são um fornecedor em grande escala especializado em circuitos integrados de semicondutores famosos (ICS) de todo o mundo.
Temos muitos anos de experiência em gerenciamento de vendas, profissional de suporte a vários componentes eletrônicos, e tem uma grande quantidade de estoque por um longo tempo.
É essencialmente agente de CCTC Advanced Ceramic Capacitors
A RICHTEK, a SGMRICO, distribuem em AD, XILINX, ST, ALTERA, TI e todas as séries de ICs e resistores, inductores e moldes.Baseado na tecnologia e orientado para o mercado, Nós acumulamos rica experiência empresarial e formou um sistema de gestão completo.estabeleceu boas relações de cooperação com fabricantes e agentes nos Estados Unidos, Europa, Japão, Coreia do Sul e Taiwan, e melhorou constantemente a qualidade do serviço.O negócio desenvolveu-se rapidamente e estabeleceu relações de cooperação amigáveis de longo prazo com muitos comerciantes e fabricantes em todo o paísA empresa sempre adere ao conceito e propósito de desenvolvimento de "qualidade primeiro, preço razoável, entrega rápida e serviço primeiro".É nosso dever prestar o serviço mais satisfatório para a empresaAtravés de um forte sistema de rede de serviços de mercado, fornecemos serviços padronizados, profissionais, diversificados e de alta qualidade para a empresa.
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuitos integrados
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC de memória 512Mbit paralelo 110ns 56-TSOP circuitos integrados ICs
| Imagem | parte # | Descrição | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuitos integrados |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC de memória 512Mbit paralelo 110ns 56-TSOP circuitos integrados ICs |
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP Integrated Circuits ICs
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