JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC de memória 512Mbit paralelo 110ns 56-TSOP circuitos integrados ICs
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR IC de memória 512Mbit paralelo 110ns 56-TSOP circuitos integrados ICs
| Tecnologia Micron | |
| Categoria do produto: | NÃO Flash |
| SMD/SMT | |
| TSOP-56 | |
| M29EW | |
| 512 Mbit | |
| 2.3 V | |
| 3.6 V | |
| 50 mA | |
| Paralelo | |
| 64 M x 8/32 M x 16 | |
| 8 bits/16 bits | |
| Asíncrono | |
| - 40 C. | |
| + 85 C | |
| Caixa | |
| Marca: | Micron |
| Tipo de memória: | NÃO |
| Tipo de produto: | NÃO Flash |
| Velocidade: | 110 ns |
| Padrão: | Interface Flash Comum (CFI) |
| Subcategoria: | Memória e armazenamento de dados |
| Tipo: | Bloco de arranque |
Características
●2Gb = dispositivo empilhado (duas matrizes de 1Gb)
- Vcc= 2,7 - 3,6 V (programa, apagamento, leitura)
- VccQ= 1,65- -Vcc (1/0 tampões)
● Leitura aleatória/pagina assíncrona
1 Tamanho da página: 16 palavras ou 32 bytes
1 Acesso à página: 25ns
- Acesso aleatório: 100 ns (BGA fortificado); 110 ns (TSOP)
● Programa buffer: buffer de 512 palavras
● Tempo de programação
一0.88us por byte (1,14 MB/s) TYP quando se utiliza o full
Tamanho do buffer de 512 palavras no programa de buffer
● Organização da memória
- Blocos uniformes: 128 Kbytes ou 64 Kwords cada
● Controlador de programação/apagamento
- Embedded byte (x8) / word (x16) programa algo-
Ritmos
●Capacidade de suspender e retomar o programa/apagar
-Ler de outro bloco durante um PROGRAMA
Operação SUSPEND
- Ler ou programar outro bloco durante uma ERASE
Operação SUSPEND
Operação BLANK CHECK para verificar um bloco apagado
● Desbloquear bypass, bloquear apagamento, apagamento de chip e escrever para
Capacidade de amortecimento
- Programação rápida em buffer/batch
- Eliminação rápida de blocos/chips
●Proteção contra alfinetes Vpp/WP#
- Protege o primeiro ou último bloco independentemente do bloco
configurações de protecção
Protecção do software
- Proteção contra volatilidade
- Proteção não volátil
- Protecção por senha
1 Acesso por senha
● Bloco de memória alargado
一128-word (256- byte) bloco para permanente, seguro
Identificação
1 Programado ou bloqueado na fábrica ou pelo
cliente
● Baixo consumo de energia: modo de espera
●conforme à norma JESD47
一100, 000 ciclos mínimos de ERASE por bloco
- Retenção de dados: 20 anos (TYP)
Tecnologia de processo de células multicelulares de 65 nm (MLC)
Pacote
一56 pin TSOP, 14 x 20 mm
BGA reforçado com 64 bolas, 13x 11 mm
●Pacotes verdes disponíveis
- Compatível com a RoHS
- Sem halogênio
●Temperatura de funcionamento
- Ambiente: - 40°C a +85°C
Telefone: +86-755-23606019
Endereço: quarto 1205-1207, edifício Nanguang, Rua Huafu, Distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
Laneya.
Telefone: +86-13420902155
E-mail: sales@wisdtech.com.cn
Wechat:laneyatao66
WhatsApp: +8613420902155
Skype: sales@wisdtech.com.cn
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
NT1D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuitos integrados
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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NT1D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D2D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D3D |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT Circuitos integrados |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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