MT40A1G16KNR-075:E SDRAM DDR4 Memória IC 16Gbit Paralelo 1,33 GHz 19 ns Circuito integrado
MT40A1G16KNR-075: E
,MT40A1G16KNR-075:E IC de memória
,IC de memória SDRAM DDR4
MT40A1G16KNR-075:E SDRAM - DDR4 Memória IC 16Gbit Paralelo 1,33 GHz 19 ns
| Tecnologia Micron | |
| Categoria do produto: | DRAM |
| RoHS: | Detalhes |
| SDRAM - DDR4 | |
| SMD/SMT | |
| FBGA-96 | |
| 16 bits | |
| 1 G x 16 | |
| 16 Gbit | |
| 1.6 GHz | |
| 13.5 ns | |
| 1.26 V | |
| 1.14 V | |
| 118 mA | |
| 0 C | |
| + 95 C | |
| MT40A | |
| Caixa | |
| Marca: | Micron |
| Sensível à humidade: | - Sim, sim. |
| Tipo de produto: | DRAM |
| Subcategoria: | Memória e armazenamento de dados |
| Nome comercial: | TwinDie |
| Peso unitário: | 0.227649 onças |
Descrição
A 16Gb (TwinDieTM) DDR4 SDRAM usa a DDR4 SDRAM de 8Gb da Micron; dois x8s combinados para fazer
sinais semelhantes ao mono x16, há uma conexão ZQ extra para uma calibração ZQ mais rápida e um
O controle BG1 é necessário para endereçamento x8. Consulte a folha de dados 8Gb DDR4 SDRAM da Micron (opção x8)
As especificações relativas ao número de peça base MT40A1G8 correspondem
para o número de peça de fabrico da TwinDie MT40A1G16.
Características
• Usa duas matrizes Micron de 8 Gb para fazer uma de 16 GB
• TwinDie de nível único • VDD = VDDQ = 1,2 V (1,14-1,26 V)
• 1.2 V VDDQ-terminado
• Ball-out padrão JEDEC
• Pacote discreto
• TC de 0°C a 95°C - 0°C a 85°C: 8192 ciclos de atualização em 64 ms - 85°C a 95°C: 8192 ciclos de atualização em 32 ms
Configuração de opções
- 64 Megx 16 x 16 bancos x 1 linha
Pacote FBGA de 96 bolas (sem Pb)
-9.5 mmx14 mmx1.2 mmDieRev:A
- 8,0 mm x 14 mm x 1,2 mm DieRev: B,D
- 7,5 mm x 13,5 mm x 1,2 mm
Tempo - tempo do ciclo
- 0,625ns @ CL = 22 (DDR4-3200)
0.682ns @ CL= 21 (DDR4-2933)
- 0,750ns @ CL= 19 (DDR4-2666)
- 0,750ns @ CL= 18 (DDR4-2666)
- 0,833ns @ CL = 17 ((DDR4-2400)
- 0,833ns @ CL= 16 (DDR4-2400)
- 0,937ns @ CL= 15 (DDR4-2133)
- 1.071ns @ CL= 13 (DDR4- 1866)
Auto-reforço
- Padrão.
Temperatura de funcionamento
- Comercial (0°C≤Tc≤95°C)
Revisão
O MT40A1G16KNR-075:E é um número de peça específico para um módulo de memória.
MT40A1G16KNR-075:E com base nos resultados da pesquisa:
-
Fabricante e Produto:
-
Especificações:
- Capacidade: o número "1G" no número da parte indica uma capacidade de 1 Gigabit (Gb), que equivale a 128 Megabytes
- (MB)[2].
- Organização: o "16" no número da parte representa a organização do módulo de memória, que é de 16 bits[2].
- Velocidade: o "075" no número da peça indica o grau de velocidade do módulo.
- Taxa de transferência de 2133 megatransferências por segundo (MT/s)[2].
- Voltagem: O "E" no número da peça indica o nível de tensão do módulo, que é de 1,2 volts[2].
-
Aplicação:
- O módulo de memória MT40A1G16KNR-075:E é comumente usado em vários dispositivos eletrônicos, como computadores, servidores e outros sistemas que exigem memória de alto desempenho[2].
