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MIC5166YML-TR Gestão de energia especializada - PMIC IC 3A DDR Memória e High-Speed Bus

Categoria:
CIs de Circuitos Integrados
Preço:
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Método do pagamento:
Paypal, TT, Western Union
Especificações
Código de data:
Código mais recente
Transporte por:
DHL/UPS/FEDEX
Condição:
Novo*Original
Garantia:
365 dias
Sem chumbo:
Compatível com a norma Rohs
Prazos de execução:
Envio imediato
Pacote:
VDFN-10
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Destacar:

MIC5166YML-TR

,

MIC5166YML-TR IC PMIC

Introdução

 

 

MIC5166YML-TR Gestão de energia especializada - PMIC IC 3A DDR Memória e High-Speed Bus

MIC5166YML-TR Gerenciamento de energia especializado - PMIC 3A DDR Memória e High-Speed Bus

Microchip
Categoria do produto: Gestão de energia especializada - PMIC
RoHS: Detalhes
Regulador de terminação DDR
SMD/SMT
VDFN-10
3 A
900 mV a 3,6 V
450 mV a 1,8 V
- 40 C.
+ 125 C
3 mA
Reel
Faixa de corte
MouseReel
Marca: Tecnologia de microchip
Voltagem de entrada, máximo: 3.6 V
Voltagem de entrada, min: 900 mV
Tensão de saída máxima: 1.8 V
Sensível à humidade: - Sim, sim.
Tipo de produto: Gestão de energia especializada - PMIC
Subcategoria: PMIC - IC de gestão de energia
Parte # Aliases: MIC5166YML TR
Peso unitário: 0.000801 onças
 
Descrição:
O MIC5166 é um 3A, de alta velocidade, linear, VIN baixo,
taxa de dados dupla (DDR), potência do terminador de memória
A peça é pequena e requer pouca produção
O que permite que os condensadores, tornando-se uma pequena solução global.
ser convenientemente colocado perto da memória DDR,
Minimizando a indutividade do layout da placa de circuito que pode
causar ondulação de tensão excessiva na memória DDR.
O MIC5166 contém um divisor de tensão de precisão
A voltagem Vooo é absorvida pela rede como uma
tensão de referência e convenientemente a saída do
tensão de terminação (Vτ) a metade da tensão de entrada VopQ.
O MIC5166 é capaz de afundar e abastecer até
É estável com apenas duas saídas cerâmicas de 10 μF
A peça está disponível em uma pequena dimensão de 3 mm x
3 mm DFN embalado com reforço térmico.
O MIC5166 tem um estágio de saída NMOS de lado alto
oferecendo uma impedância de saída muito baixa e muito alta
O estágio de saída NMOS oferece um
Capacidade de reagir muito rapidamente a mudanças bruscas de carga
de potência de terminação de memória DDR
aplicações de abastecimento.

 

 

Características

● Faixa de tensão de funcionamento:
- Fornecimento de Vopa: 0,9V a 3,6V
Fornecimento de Bias: 2,5 V a 5,5 V
●Alta largura de banda: resposta transitória muito rápida
● Estabilizado com dois condensadores de saída cerâmicos de 10 μF
● Dois condensadores de saída de 10 μF utilizados na maioria das aplicações
● Alta precisão de tensão de saída:
0.015% Regulamento da linha
1Regime de carga de 0,5%
● Nível lógico permite a entrada
● Potência boa (PG)
●Defensão térmica de 3 mm x 3 mm
● Intervalo de temperatura da junção - 40°C a +125°C
● Este dispositivo cumpre os requisitos DDR4
 
Aplicações
● Computadores de escritório
● Computadores portáteis
●Sistemas de dados
●Servidores
● Cartões de vídeo

MIC5166YML-TR Gestão de energia especializada - PMIC IC 3A DDR Memória e High-Speed Bus

 

 

 

 

 

 

MIC5166YML-TR Gestão de energia especializada - PMIC IC 3A DDR Memória e High-Speed Bus

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Atividades:
MOQ:
1pcs