IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns Async SRAM 3.3v Circuitos integrados ICs

IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns SRAM assíncrona 3.3v

Descrição
O ISSI IS61WV5128Axx e IS61/64WV5128Bxx
são muito de alta velocidade, baixa potência, 524.288 palavras por
RAM estática CMOS de 8 bits.
IS61/64WV5128Bxx são fabricados utilizando a alta-
A tecnologia CMOS de desempenho.
Cess combinado com técnicas inovadoras de concepção de circuitos,
produz um desempenho mais elevado e um baixo consumo de energia
dispositivos.
Quando o CE for ALTO (deselecionado), o dispositivo assume
um modo de espera no qual a dissipação de energia pode ser
reduzidos com os níveis de entrada CMOS.
O IS61WV5128Axx e o IS61/64WV5128Bxx operam
de uma única fonte de alimentação.
O IS61WV51 28ALL e o IS61/64WV5128BLL estão disponíveis para utilização no mercado interno.
Compatível com SOJ de 36 pinos, mini BGA de 36 pinos e 44 pinos
Pacotes TSOP (tipo I).
O IS61WV5128ALS e o IS6 1/64WV5128BLS são
disponível em 32-pin STSOP (tipo I), 32-pin STSOP (tipo l),
Pacotes SOP de 32 pinos e TSOP de 32 pinos (tipo I1).

Características
A velocidade máxima: (IS61/64WV5128ALLBLL)
● Tempo de acesso em alta velocidade:8, 10, 20 ns
● Baixa potência ativa: 85 mW (típica)
● Baixa potência de espera: 7 mW (típica)
CMOS em modo de espera
(IS61/64WV5128AL S/BLS)
●Tempo de acesso de alta velocidade: 25, 35 ns
● Baixa potência ativa: 35 mW (típica)
● Baixa potência de espera: 0,6 mW (típica)
CMOS em modo de espera
●Fonte de alimentação
- Voo 1,65 V a 2,2 V (IS61 WV5128Axx)
- VoD 2,4 V a 3,6 V (IS61/64WV5128Bxx)
● Função totalmente estática: sem relógio nem atualização
necessária
●Output de três estados
●Suporte de temperatura industrial e automóvel
● Disponível sem chumbo

O IS61WV5128BLL-10TLI é um número de peça específico para um dispositivo de memória.

Módulo de memória de acesso aleatório estático (SRAM) fabricado pela Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI).

Aqui estão algumas informações sobre este dispositivo de memória em particular:

• Capacidade de memória: 128 megabits (Mb) ou 16 megabytes (MB)
• Tipo de memória: SRAM assíncrona
• Tempo de acesso: 10 ns (nanossegundos)
• Organização: 4 bancos x 4.096 linhas x 2.048 colunas
• Tipo de pacote: TSOP de 44 pinos (Pacote fino de contorno pequeno)
• Intervalo de temperatura: industrial (-40°C a +85°C)
• Fornecimento de tensão: O IS61WV5128BLL-10TLI opera com uma faixa de tensão de 2,7V a 3,6V.
• Densidade: O dispositivo de memória tem uma densidade de 128 megabits (Mb), o que equivale a 16 megabytes (MB).
• Tempo de acesso: O tempo de acesso especifica a velocidade com que os dados podem ser lidos ou escritos na memória.
• Neste caso, o tempo de acesso é de 10 nanossegundos (ns), o que indica uma operação relativamente rápida.
• Organização: A memória está organizada em 4 bancos, com cada banco consistindo de 4.096 linhas e 2.048 colunas.
• Esta organização permite um armazenamento e recuperação eficientes de dados.
• Tipo de embalagem: O IS61WV5128BLL-10TLI vem em um fator de forma TSOP (Pacote fino de contorno pequeno) de 44 pinos.
• Este pacote é comumente utilizado para circuitos integrados e fornece um projeto compacto para uma fácil integração em circuitos integrados.
• sistemas eletrónicos.
• Intervalo de temperatura: a memória é projetada para funcionar num intervalo de temperatura industrial de -40°C a +85°C.
• Esta ampla gama de temperaturas permite uma operação fiável em vários ambientes.