CY7C1041GN30-10ZSXI SRAM - IC de memória assíncrona 4Mbit Circuitos integrados paralelos ICs
CY7C1041GN30-10ZSXI SRAM - Memória assíncrona IC paralela de 4Mbit
| CIPRE | |
| Categoria do produto: | SRAM |
| RoHS: | Detalhes |
| 4 Mbit | |
| 256 k x 16 | |
| 10 ns | |
| - | |
| Paralelo | |
| 3.6 V | |
| 2.2 V | |
| 45 mA | |
| - 40 C. | |
| + 85 C | |
| SMD/SMT | |
| TSOP-44 | |
| Caixa | |
| Marca: | CIPRE |
| Tipo de memória: | Volátil |
| Sensível à humidade: | - Sim, sim. |
| Tipo de produto: | SRAM |
| Subcategoria: | Memória e armazenamento de dados |
| Tipo: | Asíncrono |
| Peso unitário: | 0.015988 onças |
Descrição funcional
CY7C1041GN é uma RAM estática CMOS de alto desempenho
Organizado como 256 mil palavras por 16 bits.
As gravações de dados são realizadas afirmando o Chip Enable (CE) e
Escrever as entradas de Ativar (WE) LOW, fornecendo os dados em /O.
através de / 015 e endereço em Ao através de pinos A17.
Ativar (BHE) e Byte Low Ativar (BLE) entradas de controle de gravação
Operações para _ os bytes superior e inferior da memória especificada
O BHE controla o IOg através do /O15 e o BL E controla o /O.
através de I/O7.
A leitura de dados é realizada com a utilização do dispositivo Chip Enable (CE)
Output Enable (OE) inputs LOW e fornecendo o necessário
Os dados de leitura são acessíveis no I/O
Acesso de byte pode ser realizado por
afirmando o byte necessário para permitir que o sinal (BHE ou BLE) seja lido
quer o byte superior ou o byte inferior dos dados do
Localização do endereço.
Todas as E/S (de E/O a E/O15) são colocadas num estado de alta impedância
durante os seguintes eventos:
■O dispositivo está desmarcado (CE ALTO)
m Os sinais de controlo (OE, BLE, BHE) são apagados
Características
■Velocidade elevada
tAA= 10 ns/ 15 ns
■Correntes activas e de espera baixas
Corrente ativa lcc = 38 mA típica
Corrente de espera: Ise2 = 6 mA típico
■Alteração da tensão de funcionamento: 1,65 V a 2,2 V, 2,2 V a 3,6 V e
4.5V a 5,5 V
■Retenção de dados 1.0-V
■Input e output compatíveis com o TTL
■ SOJ de 44 pinos, TSOP Il de 44 pinos e VFBGA de 48 bolas sem Pb
embalagens
Tipo de memória: volátil
Formato de memória: SRAM
Tecnologia: SRAM - Assíncrona
Tamanho da memória: 4Mb
Organização de memória: 256k x 16
Interface de memória: paralela
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: 10ns
Tempo de acesso: 10 s
Voltagem - Fornecimento: 2,2 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem: montagem de superfície
Embalagem / Caixa: 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Pacote de dispositivos do fornecedor: 44-TSOP II
