FQA11N90C MOSFET 900V N-Ch Q-FET avançado C-Série
Categoria:
N P Canal Mosfet
Especificações
Tipo de transistor::
1 Canal N
Vgs - Tensão da Fonte do Gate::
- 30 V, + 30 V
Destacar:
FQA11N90C
,MOSFET 900V
,FQA11N90C MOSFET
Introdução
| Atributo do produto | Atributo Valor |
| Fabricante: | semi- |
| Categoria do produto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalhes |
| Tecnologia: | Sim |
| Estilo de montagem: | Através do Buraco |
| Embalagem / Caixa: | TO-3PN-3 |
| Polaridade do transistor: | N-canal |
| Número de canais: | 1 Canal |
| Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: | 900 V |
| Id - Corrente de escoamento contínua: | 11 A |
| Rds On - Resistência à fonte de drenagem: | 1.4 Ohms |
| Vgs - Voltagem da fonte da porta: | - 30 V, + 30 V |
| Temperatura de funcionamento mínima: | - 55 C. |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 C |
| Pd - Dissipação de energia: | 300 W |
| Modo de canal: | Reforço |
| Embalagem: | Tubos |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuração: | Solteiro |
| Tempo de queda: | 85 ns |
| Transcondutividade para a frente - Min: | 9 S |
| Altura: | 20.1 mm |
| Duração: | 16.2 mm |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Hora de subida: | 130 ns |
| Embalagem de fábrica | 30 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tipo: | MOSFET |
| Tempo típico de atraso da desligação: | 130 ns |
| Tempo típico de atraso da ligação: | 60 ns |
| Largura: | 5 mm |
| Parte # Aliases: | FQA11N90C_NL |
| Peso unitário: | 0.162260 onças |
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